ਪਾਸ ਕੀਤੇ ਰੋਲਡ ਕਾਪਰ ਫੁਆਇਲ: "ਖੋਰ ਸੁਰੱਖਿਆ ield ਾਲ" ਅਤੇ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਸੰਤੁਲਨ ਦੀ ਕਲਾ ਨੂੰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ

ਪੈਸਿਵੇਸ਼ਨ ਰੋਲਡ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਕੋਰ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਹੈਤਾਂਬਾ ਫੁਆਇਲ. ਇਹ "ਅਣੂ ਪੱਧਰੀ ਪੱਧਰੀ" ਵਜੋਂ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਖਸਤਾ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਕਿ ਆਲੋਚਨਾਤਮਕਤਾ ਅਤੇ ਸੈਨਿਕ-ਕਾਬਜ਼ਬਾਇਟੀ 'ਤੇ ਇਸ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਧਿਆਨ ਨਾਲ ਸੰਤੁਲਿਤ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਧਿਆਨ ਰੱਖਦੇ. ਇਹ ਲੇਖ ਪਾਸਿਵੇਸ਼ਨ ਵਿਧੀ, ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਟ੍ਰੇਡ-ਆਫਸ, ਅਤੇ ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ ਦੇ ਅਭਿਆਸਾਂ ਦੇ ਪਿੱਛੇ ਵਿਗਿਆਨ ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ. ਦੀ ਵਰਤੋਂCiven ਧਾਤਇੱਕ ਉਦਾਹਰਣ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ ਸਫਲਤਾ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ, ਅਸੀਂ ਉੱਚ-ਅੰਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਨਿਰਮਾਣ ਵਿੱਚ ਇਸ ਦੇ ਵਿਲੱਖਣ ਮੁੱਲ ਦੀ ਪੜਚੋਲ ਕਰਾਂਗੇ.

1. ਪਾਸਵਰਡ :ਬੇਰ ਫੁਆਇਲ ਲਈ "ਅਣੂ-ਪੱਧਰ ਦੀ ield ਾਲ"

1.1 ਪਾਸਿਵੇਸ਼ਨ ਲੇਅਰ ਫਾਰਮ ਕਿਵੇਂ
ਰਸਾਇਣਕ ਜਾਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ ਕੈਮੀਕਲ ਇਲਾਜ ਦੁਆਰਾ, ਦੀ ਸਤਹ 'ਤੇ ਇਕ ਸੰਖੇਪ ਆਕਸਾਈਡ ਲੇਕਸਾਈਡ ਲੇਕ 10-50nm ਮੋਟੀ ਫਾਰਮਤਾਂਬਾ ਫੁਆਇਲ. ਮੁੱਖ ਤੌਰ ਤੇ ਕੂਚ, ਕੂਉ, ਅਤੇ ਜੈਵਿਕ ਕੰਪਲੈਕਸਾਂ ਦਾ ਬਣਿਆ, ਇਹ ਪਰਤ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ:

• ਸਰੀਰਕ ਰੁਕਾਵਟਾਂ:ਆਕਸੀਜਨ ਫੈਲਾਉਣ ਯੋਗ 1 × ​​10⁻¹⁴ CM² / S (ਨੰਗੇ ਤਾਂਬੇ ਲਈ 5 × 10⁻⁸ ਸੈਂਟੀਮੀਟਰ ਤੋਂ ਹੇਠਾਂ).
• ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ ਕੈਮੀਕਲ ਪਾਸਵਰਡ:ਖੋਰ 10μa / cm² ਤੋਂ 0.1μ6 / ਸੀ.ਐੱਮ.ਏ. ਤੱਕ ਦੇ ਸੋਟੀਆਂ.
• ਰਸਾਇਣਕ ਕਮੀ:ਸਤਹ ਮੁਕਤ energy ਰਜਾ 72MJ / M² ਤੋਂ 35mj / m² ਤੱਕ ਘਟਾ ਦਿੱਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆਸ਼ੀਲ ਵਿਵਹਾਰ ਨੂੰ ਦਬਾਉਣ.

1.2 ਪਾਸਵਰਡ ਦੇ ਪੰਜ ਮੁੱਖ ਲਾਭ

2. ਪਾਸਵਰਡ ਦੀਆਂ ਪਰਤਾਂ ਅਤੇ ਇਸ ਨੂੰ ਸੰਤੁਲਿਤ ਕਿਵੇਂ ਕਰਨਾ ਹੈ ਦੀ "ਦੋਹਰੀ ਤਲਵਾਰ"

2.1 ਜੋਖਮਾਂ ਦਾ ਮੁਲਾਂਕਣ ਕਰਨਾ

• ਚਾਲ ਅਸਥਾਨ ਵਿਚ ਥੋੜ੍ਹੀ ਜਿਹੀ ਕਮੀ:Passiation Owte ਚਮੜੀ ਦੀ ਡੂੰਘਾਈ (10GHZ ਤੇ) ਤੋਂ 0.72μm ਤੱਕ, ਪਰ 30nm ਦੇ ਅਧੀਨ ਮੋਟਾਈ ਰੱਖ ਕੇ, ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕੜ ਵਾਧੇ ਘੱਟ ਹੋ ਸਕਦੀ ਹੈ.
• ਸੋਲਡਿੰਗ ਚੁਣੌਤੀਆਂ:ਘੱਟ ਸਤਹ energy ਰਜਾ ਸੋਲਡਰ ਨੂੰ ਗਿੱਲੇ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਕੋਣਾਂ ਨੂੰ 15 ° ਤੋਂ 25 ° ਤੱਕ ਵਧਾਉਂਦੀ ਹੈ. ਐਕਟਿਵ ਸੋਲਡਰ ਪੇਸਟਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰ ਰਹੇ ਹੋ (ਰਾ ਟਾਈਪ) ਇਸ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ.
• ਜਨਮ ਮੁੱਦੇ:ਰੈਸਿਨ ਬੌਇਨ ਬੌਂਡਿੰਗ ਤਾਕਤ 10-15% ਘਟ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨੂੰ ਚੱਬੀਨਿੰਗ ਅਤੇ ਪਾਸਿਵੀਸ਼ਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਜੋੜ ਕੇ ਘਟਾ ਦਿੱਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ.

2.2Civen ਧਾਤਦਾ ਸੰਤੁਲਨ ਪਹੁੰਚ

ਗਰੇਡੀਐਂਟ ਪਸੀਵੇਸ਼ਨ ਟੈਕਨੋਲੋਜੀ:

• ਅਧਾਰ ਪਰਤ:(111) ਨੂੰ ਤਰਜੀਹ ਦਿੱਤੀ ਰੁਝਾਨ ਦੇ ਨਾਲ 5nm ਕਯੂਪੋ ਦਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ ਕੈਮੀਕਲ ਵਾਧਾ.
• ਵਿਚਕਾਰਲੀ ਪਰਤ:ਇੱਕ 2-3nm ਬੈਂਜੋਸਟ੍ਰਾਜ਼ੋਲ (ਬੀਟੀਏ) ਸਵੈ-ਇਕੱਤਰ ਕੀਤੀ ਫਿਲਮ.
• ਬਾਹਰੀ ਪਰਤ:ਸਿੱਟੇਨ ਕਪਲਿੰਗ ਏਜੰਟ (ਐਪਸਟ) ਨੂੰ ਜਨਮ ਵਧਾਉਣ ਲਈ.

ਅਨੁਕੂਲ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਦੇ ਨਤੀਜੇ:

3. Civen ਧਾਤਦੀ ਪੇਸਟੀਏਸ਼ਨ ਟੈਕਨੋਲੋਜੀ: ਸੁਰੱਖਿਆ ਦੇ ਮਿਆਰਾਂ ਦੀ ਮੁੜ ਪਰਿਭਾਸ਼ਾ

1.1 ਚਾਰ-ਟੀਅਰ ਸੁਰੱਖਿਆ ਪ੍ਰਣਾਲੀ

1. ਅਲਟਰਾ-ਪਤਲਾ ਆਕਸਾਈਡ ਨਿਯੰਤਰਣ:ਨਬਜ਼ ਅਨੌਖੀ ਨੂੰ ± 2nm ਦੇ ਅੰਦਰ ਮੋਟਾਈ ਪਰਿਵਰਤਨ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦਾ ਹੈ.
2. ਜੈਵਿਕ-unorganic ਹਾਈਬ੍ਰਿਡ ਲੇਅਰਸ:ਬੀਟੀਏ ਅਤੇ ਸੇਲੈਨ ਮਿਲ ਕੇ ਖਸਤਾ ਦਰਾਂ ਨੂੰ 0.003mm / ਸਾਲ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ ਕੰਮ ਕਰਦੇ ਹਨ.
3. ਸਤਹ ਸਰਗਰਮ ਇਲਾਜ:ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਕਲੀਡਿੰਗ (ਏਆਰ / ਓ₂ ਗੈਸ ਮਿਕਸ) ਸਿਪਾਹੀ ਨੂੰ ਗਿੱਲੇ ਹੋਏ ਕੋਣਾਂ ਨੂੰ 18 ° ਤੱਕ ਰੀਸਟੋਰ ਕਰਦਾ ਹੈ.
4. ਰੀਅਲ-ਟਾਈਮ ਨਿਗਰਾਨੀ:ਐੱਲ

2.2 ਅਤਿ ਵਾਤਾਵਰਣ ਦੀ ਯੋਗਤਾ

• ਉੱਚ ਨਮੀ ਅਤੇ ਗਰਮੀ:8,000 ਘੰਟੇ ਬਾਅਦ 85 ° C / 85% ਆਰ.ਐਚ.ਓ, 3% ਤੋਂ ਘੱਟ ਕੇ ਸਤਹ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਤਬਦੀਲੀਆਂ.
• ਥਰਮਲ ਸਦਮਾ:-55 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ ਤੋਂ ਬਾਅਦ + 125 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਕੋਈ ਚੀਰ ਪੇਸਟੀਏਸ਼ਨ ਲੇਅਰ ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਈ ਨਹੀਂ ਦੇਵੇਗਾ (ਐਸਈਐਮ ਦੁਆਰਾ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕੀਤੀ).
• ਰਸਾਇਣਕ ਵਿਰੋਧ:10% ਐਚਸੀਐਲ ਭਾਫ਼ ਤੋਂ 30 ਮਿੰਟ ਤੱਕ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਵਧਦਾ ਹੈ.

3.3 ਅਰਜ਼ੀਆਂ ਵਿੱਚ ਅਨੁਕੂਲਤਾ

• 5 ਜੀ ਮਿਲੀਮੀਟਰ-ਵੇਵ ਐਂਟੀਨਾਸ:28GHZ ਸੰਸ਼ਧੀ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਸਿਰਫ 0.17 ਡੀਬੀ / ਸੈਮੀ ਤੱਕ ਘਟ ਗਿਆ (ਮੁਕਾਬਲੇਬਾਜ਼ਾਂ ਦੇ 0.21 ਡੀਬੀ / ਸੈ.ਮੀ.).
• ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ:ISO ਨੂੰ 16750-4 ਲੂਣ ਸਪਰੇਅ ਟੈਸਟ ਪਾਸ ਕਰਦਾ ਹੈ, 100 ਤੋਂ 100 ਤੱਕ ਦੇ ਚੱਕਰ ਦੇ ਨਾਲ.
• ਆਈਸੀ ਸਬਮੋਟੀਸ:ਐਬਫ ਰੈਸਲ ਦੇ ਨਾਲ ਅਡੇਸਿਨ ਤਾਕਤ 1.8n / ਸੈ.ਮੀ. (ਉਦਯੋਗਾਂ ਦੀ .ਸਤ: 1.2n / ਸੈ.ਮੀ.).

4. ਪਾਸਿਵੇਸ਼ਨ ਟੈਕਨੋਲੋਜੀ ਦਾ ਭਵਿੱਖ

4.1 ਪਰਮਾਣੂ ਪਰਤ ਜਮ੍ਹਾਂ (ਏ ਐਲ ਡੀ) ਤਕਨਾਲੋਜੀ
ਅੱਲੋ / ਟਿਓ 'ਤੇ ਅਧਾਰਤ ਨੈਨੋਲੇਮਮੀਨੇਟ ਪੇਅਿ itiation ਟਨ ਫਿਲਮਾਂ ਦਾ ਵਿਕਾਸ ਕਰਨਾ:

• ਮੋਟਾਪਾ:<5nm, ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ ਵਿੱਚ ਵਾਧਾ ਦੇ ਨਾਲ.
• ਕੈਫ (ਚਾਲਕ ਅਨੌਡਿਕ ਤੰਦ) ਵਿਰੋਧ:5x ਸੁਧਾਰ.

4.2 ਸਵੈ-ਚੰਗਾ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਜਾਂਚ ਦੀਆਂ ਪਰਤਾਂ
ਮਾਈਕਰੋਕਸੈਪੱਲ ਖੋਰ ਘੋਰ ਇਨਿਹਿਬਟਰਜ਼ ਨੂੰ ਸ਼ਾਮਲ ਕਰਨਾ (ਬੈਂਜਿਮਿਜ਼ੋਲ ਡੈਰੀਵੇਟਿਵਜ਼):

• ਸਵੈ-ਚੰਗਾ ਕਰਨ ਦੀ ਕੁਸ਼ਲਤਾ:ਖੁਰਚਿਆਂ ਤੋਂ 24 ਘੰਟਿਆਂ ਬਾਅਦ 90% ਤੋਂ ਵੱਧ.
• ਸੇਵਾ ਜਿੰਦਗੀ:20 ਸਾਲ ਤੱਕ ਵਧਿਆ (10-15 ਸਾਲ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ).

ਸਿੱਟਾ:
ਪੈਸਿਵੇਸ਼ਨ ਦਾ ਇਲਾਜ ਰੋਲਡ ਲਈ ਸੁਰੱਖਿਆ ਅਤੇ ਕਾਰਜਸ਼ੀਲਤਾ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਇੱਕ ਸੁਧਾਰੀ ਸੰਤੁਲਨ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦਾ ਹੈਤਾਂਬਾ ਫੁਆਇਲ. ਨਵੀਨਤਾ ਦੁਆਰਾ,Civen ਧਾਤਇਸ ਨੂੰ "ਅਦਿੱਖ ਬਸਤ੍ਰ" ਵਿੱਚ ਬਦਲਣਾ ਜੋ ਉਤਪਾਦ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦਾ ਹੈ. ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਉਦਯੋਗ ਵਧੇਰੇ ਘਣਤਾ ਅਤੇ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਵੱਲ ਵਧਦਾ ਹੈ, ਸਹੀ ਅਤੇ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਅਦਾਇਗੀ ਨੂੰ ਤਾਂਬੇ ਦੇ ਫੁਆਇਲ ਬਣਾਉਣ ਦਾ ਅਧਾਰ ਬਣ ਗਿਆ ਹੈ.