ਪੈਸੀਵੇਟਿਡ ਰੋਲਡ ਕਾਪਰ ਫੋਇਲ: "ਕਰੋਜ਼ਨ ਪ੍ਰੋਟੈਕਸ਼ਨ ਸ਼ੀਲਡ" ਅਤੇ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਸੰਤੁਲਨ ਦੀ ਕਲਾ ਨੂੰ ਤਿਆਰ ਕਰਨਾ

ਰੋਲਡ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਵਿੱਚ ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਇੱਕ ਮੁੱਖ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਹੈਤਾਂਬੇ ਦੀ ਫੁਆਇਲ. ਇਹ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ "ਅਣੂ-ਪੱਧਰ ਦੀ ਢਾਲ" ਵਜੋਂ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਕਿ ਚਾਲਕਤਾ ਅਤੇ ਸੋਲਡੇਬਿਲਟੀ ਵਰਗੇ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਗੁਣਾਂ 'ਤੇ ਇਸਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਧਿਆਨ ਨਾਲ ਸੰਤੁਲਿਤ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਲੇਖ ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਵਿਧੀਆਂ, ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਪਾਰ-ਆਫਸ, ਅਤੇ ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ ਅਭਿਆਸਾਂ ਦੇ ਪਿੱਛੇ ਵਿਗਿਆਨ ਵਿੱਚ ਡੂੰਘਾਈ ਨਾਲ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਸਿਵਨ ਮੈਟਲਦੀਆਂ ਸਫਲਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਇੱਕ ਉਦਾਹਰਣ ਵਜੋਂ, ਅਸੀਂ ਉੱਚ-ਅੰਤ ਵਾਲੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਨਿਰਮਾਣ ਵਿੱਚ ਇਸਦੇ ਵਿਲੱਖਣ ਮੁੱਲ ਦੀ ਪੜਚੋਲ ਕਰਾਂਗੇ।

1. ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ: ਤਾਂਬੇ ਦੇ ਫੁਆਇਲ ਲਈ ਇੱਕ "ਅਣੂ-ਪੱਧਰ ਦੀ ਢਾਲ"

1.1 ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਲੇਅਰ ਕਿਵੇਂ ਬਣਦੀ ਹੈ
ਰਸਾਇਣਕ ਜਾਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਇਲਾਜਾਂ ਰਾਹੀਂ, ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ 10-50nm ਮੋਟੀ ਇੱਕ ਸੰਖੇਪ ਆਕਸਾਈਡ ਪਰਤ ਬਣਦੀ ਹੈ।ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਫੁਆਇਲ. ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ Cu₂O, CuO, ਅਤੇ ਜੈਵਿਕ ਕੰਪਲੈਕਸਾਂ ਤੋਂ ਬਣੀ, ਇਹ ਪਰਤ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ:

• ਭੌਤਿਕ ਰੁਕਾਵਟਾਂ:ਆਕਸੀਜਨ ਪ੍ਰਸਾਰ ਗੁਣਾਂਕ 1×10⁻¹⁴ cm²/s ਤੱਕ ਘੱਟ ਜਾਂਦਾ ਹੈ (ਨੰਗੇ ਤਾਂਬੇ ਲਈ 5×10⁻⁸ cm²/s ਤੋਂ ਘੱਟ)।
• ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ:ਖੋਰ ਕਰੰਟ ਘਣਤਾ 10μA/cm² ਤੋਂ ਘੱਟ ਕੇ 0.1μA/cm² ਹੋ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।
• ਰਸਾਇਣਕ ਜੜਤਾ:ਸਤ੍ਹਾ ਮੁਕਤ ਊਰਜਾ 72mJ/m² ਤੋਂ ਘਟਾ ਕੇ 35mJ/m² ਕਰ ਦਿੱਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲ ਵਿਵਹਾਰ ਘੱਟ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

1.2 ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਦੇ ਪੰਜ ਮੁੱਖ ਫਾਇਦੇ

2. ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਲੇਅਰਾਂ ਦੀ "ਦੋਧਾਰੀ ਤਲਵਾਰ"—ਅਤੇ ਇਸਨੂੰ ਕਿਵੇਂ ਸੰਤੁਲਿਤ ਕਰਨਾ ਹੈ

2.1 ਜੋਖਮਾਂ ਦਾ ਮੁਲਾਂਕਣ ਕਰਨਾ

• ਚਾਲਕਤਾ ਵਿੱਚ ਥੋੜ੍ਹੀ ਜਿਹੀ ਕਮੀ:ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਪਰਤ ਚਮੜੀ ਦੀ ਡੂੰਘਾਈ (10GHz 'ਤੇ) ਨੂੰ 0.66μm ਤੋਂ 0.72μm ਤੱਕ ਵਧਾਉਂਦੀ ਹੈ, ਪਰ ਮੋਟਾਈ ਨੂੰ 30nm ਤੋਂ ਘੱਟ ਰੱਖ ਕੇ, ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ ਵਾਧੇ ਨੂੰ 5% ਤੋਂ ਘੱਟ ਤੱਕ ਸੀਮਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
• ਸੋਲਡਰਿੰਗ ਚੁਣੌਤੀਆਂ:ਹੇਠਲੀ ਸਤ੍ਹਾ ਊਰਜਾ ਸੋਲਡਰ ਗਿੱਲੇ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਕੋਣਾਂ ਨੂੰ 15° ਤੋਂ 25° ਤੱਕ ਵਧਾਉਂਦੀ ਹੈ। ਸਰਗਰਮ ਸੋਲਡਰ ਪੇਸਟ (RA ਕਿਸਮ) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਇਸ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਆਫਸੈੱਟ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ।
• ਚਿਪਕਣ ਦੇ ਮੁੱਦੇ:ਰਾਲ ਬੰਧਨ ਦੀ ਤਾਕਤ 10-15% ਘੱਟ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨੂੰ ਰਫਨਿੰਗ ਅਤੇ ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਨੂੰ ਜੋੜ ਕੇ ਘੱਟ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

2.2ਸਿਵਨ ਮੈਟਲਦਾ ਸੰਤੁਲਨ ਦ੍ਰਿਸ਼ਟੀਕੋਣ

ਗਰੇਡੀਐਂਟ ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਤਕਨਾਲੋਜੀ:

• ਬੇਸ ਲੇਅਰ:(111) ਪਸੰਦੀਦਾ ਸਥਿਤੀ ਦੇ ਨਾਲ 5nm Cu₂O ਦਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਵਾਧਾ।
• ਵਿਚਕਾਰਲੀ ਪਰਤ:ਇੱਕ 2–3nm ਬੈਂਜੋਟ੍ਰੀਆਜ਼ੋਲ (BTA) ਸਵੈ-ਅਸੈਂਬਲਡ ਫਿਲਮ।
• ਬਾਹਰੀ ਪਰਤ:ਸਾਈਲੇਨ ਕਪਲਿੰਗ ਏਜੰਟ (APTES) ਰਾਲ ਦੇ ਅਡੈਸ਼ਨ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ ਲਈ।

ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਨਤੀਜੇ:

3. ਸਿਵਨ ਮੈਟਲਦੀ ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਤਕਨਾਲੋਜੀ: ਸੁਰੱਖਿਆ ਮਿਆਰਾਂ ਨੂੰ ਮੁੜ ਪਰਿਭਾਸ਼ਿਤ ਕਰਨਾ

3.1 ਇੱਕ ਚਾਰ-ਪੱਧਰੀ ਸੁਰੱਖਿਆ ਪ੍ਰਣਾਲੀ

1. ਅਤਿ-ਪਤਲਾ ਆਕਸਾਈਡ ਨਿਯੰਤਰਣ:ਪਲਸ ਐਨੋਡਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ±2nm ਦੇ ਅੰਦਰ ਮੋਟਾਈ ਭਿੰਨਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦਾ ਹੈ।
2. ਜੈਵਿਕ-ਅਜੈਵਿਕ ਹਾਈਬ੍ਰਿਡ ਪਰਤਾਂ:BTA ਅਤੇ ਸਿਲੇਨ ਮਿਲ ਕੇ ਖੋਰ ਦਰ ਨੂੰ 0.003mm/ਸਾਲ ਤੱਕ ਘਟਾਉਣ ਲਈ ਕੰਮ ਕਰਦੇ ਹਨ।
3. ਸਰਫੇਸ ਐਕਟੀਵੇਸ਼ਨ ਟ੍ਰੀਟਮੈਂਟ:ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਸਫਾਈ (Ar/O₂ ਗੈਸ ਮਿਸ਼ਰਣ) ਸੋਲਡਰ ਗਿੱਲੇ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਕੋਣਾਂ ਨੂੰ 18° ਤੇ ਬਹਾਲ ਕਰਦੀ ਹੈ।
4. ਰੀਅਲ-ਟਾਈਮ ਨਿਗਰਾਨੀ:ਅੰਡਾਕਾਰ ±0.5nm ਦੇ ਅੰਦਰ ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਪਰਤ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।

3.2 ਅਤਿਅੰਤ ਵਾਤਾਵਰਣ ਪ੍ਰਮਾਣਿਕਤਾ

• ਉੱਚ ਨਮੀ ਅਤੇ ਗਰਮੀ:85°C/85% RH 'ਤੇ 1,000 ਘੰਟਿਆਂ ਬਾਅਦ, ਸਤ੍ਹਾ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ 3% ਤੋਂ ਘੱਟ ਬਦਲ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
• ਥਰਮਲ ਸਦਮਾ:-55°C ਤੋਂ +125°C ਦੇ 200 ਚੱਕਰਾਂ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਪਰਤ ਵਿੱਚ ਕੋਈ ਦਰਾੜ ਨਹੀਂ ਦਿਖਾਈ ਦਿੰਦੀ (SEM ਦੁਆਰਾ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕੀਤੀ ਗਈ)।
• ਰਸਾਇਣਕ ਵਿਰੋਧ:10% HCl ਭਾਫ਼ ਪ੍ਰਤੀ ਰੋਧਕਤਾ 5 ਮਿੰਟ ਤੋਂ 30 ਮਿੰਟ ਤੱਕ ਵਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।

3.3 ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਅਨੁਕੂਲਤਾ

• 5G ਮਿਲੀਮੀਟਰ-ਵੇਵ ਐਂਟੀਨਾ:28GHz ਇਨਸਰਸ਼ਨ ਨੁਕਸਾਨ ਸਿਰਫ਼ 0.17dB/cm ਰਹਿ ਗਿਆ (ਪ੍ਰਤੀਯੋਗੀਆਂ ਦੇ 0.21dB/cm ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ)।
• ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ:ISO 16750-4 ਨਮਕ ਸਪਰੇਅ ਟੈਸਟ ਪਾਸ ਕਰਦਾ ਹੈ, 100 ਤੱਕ ਵਧੇ ਹੋਏ ਚੱਕਰਾਂ ਦੇ ਨਾਲ।
• ਆਈਸੀ ਸਬਸਟਰੇਟਸ:ABF ਰਾਲ ਨਾਲ ਅਡੈਸ਼ਨ ਤਾਕਤ 1.8N/cm ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਦੀ ਹੈ (ਉਦਯੋਗ ਔਸਤ: 1.2N/cm)।

4. ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦਾ ਭਵਿੱਖ

4.1 ਪਰਮਾਣੂ ਪਰਤ ਜਮ੍ਹਾ (ALD) ਤਕਨਾਲੋਜੀ
Al₂O₃/TiO₂ 'ਤੇ ਆਧਾਰਿਤ ਨੈਨੋਲੈਮੀਨੇਟ ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਫਿਲਮਾਂ ਦਾ ਵਿਕਾਸ:

• ਮੋਟਾਈ:<5nm, ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ ≤1% ਵਾਧੇ ਦੇ ਨਾਲ।
• CAF (ਕੰਡਕਟਿਵ ਐਨੋਡਿਕ ਫਿਲਾਮੈਂਟ) ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ:5 ਗੁਣਾ ਸੁਧਾਰ।

4.2 ਸਵੈ-ਇਲਾਜ ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਪਰਤਾਂ
ਮਾਈਕ੍ਰੋਕੈਪਸੂਲ ਖੋਰ ਇਨਿਹਿਬਟਰ (ਬੈਂਜਿਮੀਡਾਜ਼ੋਲ ਡੈਰੀਵੇਟਿਵਜ਼) ਨੂੰ ਸ਼ਾਮਲ ਕਰਨਾ:

• ਸਵੈ-ਇਲਾਜ ਕੁਸ਼ਲਤਾ:ਖੁਰਚਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ 24 ਘੰਟਿਆਂ ਦੇ ਅੰਦਰ 90% ਤੋਂ ਵੱਧ।
• ਸੇਵਾ ਜੀਵਨ:20 ਸਾਲਾਂ ਤੱਕ ਵਧਾਇਆ ਗਿਆ (ਮਿਆਰੀ 10-15 ਸਾਲਾਂ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ)।

ਸਿੱਟਾ:
ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਟ੍ਰੀਟਮੈਂਟ ਰੋਲਡ ਲਈ ਸੁਰੱਖਿਆ ਅਤੇ ਕਾਰਜਸ਼ੀਲਤਾ ਵਿਚਕਾਰ ਇੱਕ ਸੁਧਾਰਿਆ ਸੰਤੁਲਨ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦਾ ਹੈਤਾਂਬੇ ਦੀ ਫੁਆਇਲ. ਨਵੀਨਤਾ ਰਾਹੀਂ,ਸਿਵਨ ਮੈਟਲਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨਾਂ ਨੂੰ ਘੱਟ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਇਸਨੂੰ ਇੱਕ "ਅਦਿੱਖ ਕਵਚ" ਵਿੱਚ ਬਦਲਦਾ ਹੈ ਜੋ ਉਤਪਾਦ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦਾ ਹੈ। ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਉਦਯੋਗ ਉੱਚ ਘਣਤਾ ਅਤੇ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਵੱਲ ਵਧਦਾ ਹੈ, ਸਟੀਕ ਅਤੇ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਤਾਂਬੇ ਦੇ ਫੁਆਇਲ ਨਿਰਮਾਣ ਦਾ ਇੱਕ ਅਧਾਰ ਬਣ ਗਿਆ ਹੈ।